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天線效應（Antenna Effect）

　　天線效應發(fā)生在芯片生產(chǎn)的過程中，與晶體管相連的金屬導線由于其上面幾層金屬層還沒有淀積上，因此處在一種浮在圓片表面的狀態(tài)，這些浮著的金屬線將會作為天線收集后續(xù)工藝中的電荷（比如等離子刻蝕）將這些電荷全都儲藏在柵極，當電荷達到一定數(shù)量時會擊穿柵氧化層，就會造成器件的毀壞。在設(shè)計中柵面積與金屬線面積必須滿足一定比例。這一比例表明在天線效應問題發(fā)生之前邏輯門的輸入能與多少條金屬線相連，換句話說，這意味著晶體管的柵極能夠容納多少電荷。通過插入跨線或者插入二極管的方法，可以有效地避免天線效應[2]。

　　(5) 接地反彈與襯底耦合（Ground bounce Underlay coupling）

　　接地反彈簡稱地彈，指由于電路中較大的電流涌動而在電源與地平面間產(chǎn)生大量噪聲的現(xiàn)象。如大量芯片同步切換時，會產(chǎn)生一個較大的瞬態(tài)電流從芯片與電源平面流過，芯片封裝與電源間的寄生電感、電容和電阻會引發(fā)電源噪聲，使得零電位平面上產(chǎn)生較大的電壓波動（可能高達2v），足以造成其它元器件的錯誤動作。由于地平面的分割（數(shù)字地、模擬地、屏蔽地等），可能引起數(shù)字信號走到模擬地區(qū)域時，產(chǎn)生地平面回流反彈。

　　同樣電源平面分割，也可能出現(xiàn)同樣危害。負載容性的增大、阻性的減小、寄生參數(shù)的增大、切換速率增高以及同步切換數(shù)目的增加，均可能導致接地反彈增加。

　　同時，襯底耦合可能使設(shè)計面臨更大的挑戰(zhàn)。在硅片設(shè)計中，由于襯底和阱具有有限的電阻率，其上流過電流時會產(chǎn)生一定的壓降。而MOSFET管的閾電壓（開啟）取決于在柵區(qū)下面的襯底（或阱）的有效電壓，這意味著任何襯底電流不僅能越過MOSFET管的閾電壓，而且能越過邏輯門或時鐘電路的閾電壓，使設(shè)計很不可靠。隨著水平尺度與垂直尺度的下降，襯底和阱層的電阻增大，情況就變得更壞。