指標代碼 | 指標項 | 闡述要點 |
T | 操作和存儲溫度 | 2 |
H | 濕度 | 3 |
C | 腐蝕 | 4 |
V | 震動 | 5 |
A | 模塊附著力 | 6 |
R | 數(shù)據(jù)保存時間 | 7 |
E | 擦寫次數(shù) | 8 |
M | 抗電磁干擾 | 9 |
X | 抗X光 | 10 |
S | 抗靜電 | 11 |
2. 操作和存儲溫度
普通SIM卡的操作及存儲溫度標準范圍是：-25°C~85°C。
M2M專用卡溫度分為七個等級，分別是T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7各等級的溫度范圍
如下表所示：
表2 溫度指標列表
溫度級別 | 指標要求 |
T1 | -25 to +85°C |
T2 | -40 to +85°C |
T3 | -40 to +105°C |
T4 | -40 to +125°C |
T5 | -65 to +125°C |
T6 | -65 to +150°C |
T7（存儲溫度） | -65 to +300°C |
滿足以上級別要求的M2M專用卡應保證：卡片暴露在溫度范圍規(guī)定的最高溫度或者最低
溫度下1000小時，卡的操作正常且存儲正常（T7只要求存儲溫度）。
3. 濕度
濕度目前分為兩個等級，指標要求如下表所示：
表3 濕度指標列表
濕度級別 | 指標要求 |
H1 | 在 50 度 溫 度 ， 相 對 濕 度 范 圍 90%~95%，1000小時的條件下，可以保證卡的操作和存儲正常。 |
H2 | 在 85 度 溫 度 ， 相 對 濕 度 范 圍 90%~95%，1000小時的條件下，可以保證卡的操作和存儲正常。 |
4. 腐蝕
腐蝕目前只有一個等級為C1，指標要求如下表所示：
表4 腐蝕指標列表
濕度級別 | 指標要求 |
C1 | 在5%鹽度(NaCl)的環(huán)境下存儲至 少24小時，卡的操作和存儲正常。 |
5. 震動
震動分為三個等級，分別是V1，V2，V3，各等級的震動范圍如下表所示：
表5 震動指標列表
震動級別 | 指標要求 |
V1 | 5Hz to 500Hz |
V2 | 10Hz to 1000Hz |
V3 | 20Hz to 2000Hz |
滿足以上級別要求的M2M專用卡應保證：在以上等級的震動環(huán)境下至少2小時，卡的操作
和存儲正常。
對于加速度、振幅等的詳細要求參見附錄B。
針對V1的指標等級范圍是附錄B中的等級3～8；針對V2的指標等級范圍是附錄B中等級2；
針對V3的指標等級范圍是附錄B中的等級1。
6. 附著力
附著力目前只有一個等級為A1，指標要求如下表所示：
表6 附著力指標列表
附著力級別 | 指標要求 |
A1 | 對卡施加60N的拉力并持續(xù)1分鐘， 模塊不應從卡上分離，卡的操作和 存儲正常。 |
7. 數(shù)據(jù)保存時間
數(shù)據(jù)保存時間是指在無源儲存情況下的數(shù)據(jù)保存時間，不包括由于對M2M專用卡的擦寫6
操作導致卡片數(shù)據(jù)損壞的情況。
數(shù)據(jù)保存時間分為四個等級，分別是R1，R2，R3，R4，各等級的指標要求如下表所示：
表7 數(shù)據(jù)保存時間指標列表
數(shù)據(jù)保存時間級別 | 指標要求 |
R1 | 10年 |
R2 | 15年 |
R3 | 20年 |
R4 | 25年 |
在每個時間指標下，根據(jù)最高存儲溫度范圍，可分為85°C、105°C、125°C三個等級。
8. 擦寫次數(shù)
擦寫次數(shù)是指通過UPDATE指令(參見TS102.221)更新M2M專用卡內(nèi)數(shù)據(jù)，保證M2M專用卡
可以正常擦寫和讀取的最小次數(shù)。在對M2M專用卡進行重復擦寫數(shù)據(jù)存儲區(qū)的情況下，保證
某些常用文件（例如SMS）和數(shù)據(jù)不會因頻繁操作而導致?lián)p壞。
卡片擦寫次數(shù)分為四個等級，分別是E1，E2，E3，E4，各等級的指標要求如下表所示：
表8 擦寫次數(shù)指標列表
擦寫次數(shù)級別 | 指標要求 |
E1 | 10萬次 |
E2 | 50萬次 |
E3 | 100萬次 |
E4 | 500萬次 |
9. 抗電磁干擾
抗電磁干擾分為兩個等級，指標要求如下表所示：
表9 抗電磁干擾指標列表
電磁級別 | 指標要求 |
M1 | 在卡暴露在穩(wěn)定的79500A/m （1000Qe）磁場下，不應降低卡片功能。 |
M2 | 在 卡 暴 露 在 穩(wěn) 定 的640000A/m（1000Qe）磁場下， 不應降低卡片功能。 |
10. 抗 X 光(紫外線)
抗X光(紫外線)分為1個等級，指標要求如下表所示：
表10 抗X光指標列表
電磁級別 | 指標要求 |
X1 | 在卡的任何一面每邊在受到0.1Gy 劑 量 ， 相 當 于 70 ～ 140KeV中等能量X射線照射時（一年的累計劑量），不應降低卡片功能。 |
11. 抗靜電
抗靜電分為三個等級，指標要求如下表所示：
表11 抗靜電指標列表
靜電級別 | 指標要求 |
S1 | 在卡暴露在2000V的靜電環(huán)境中，不應降低卡片功能。 |
S2 | 在卡暴露在4000V的靜電環(huán)境中，不應降低卡片功能。 |
S3 | 在卡暴露在8000V的靜電環(huán)境中，不應降低卡片功能。 |
