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(一)集成電路

集成電路一般稱為半導體集成電路和半導體芯片。詳言之，是在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或隧道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。

我們可以分別從華盛頓公約與我國《集成電路布圖設計保護條例》中看到集成電路以及集成電路布圖設計的定義：

華盛頓公約對集成電路的界定是：“一種產品，不管是最終形式還是中間形式，在其組成元件中，至少一種元件是有源的，有些或者所有的元件相互聯(lián)為一體．同意形成于或者集中在一種材料上，意圖發(fā)揮電子功能?！?br />
我國《集成電路布圖設計保護條例》第2條第(1)項對集成電路做出了下列界定： “是指半導體集成電路，即以半導體材料為基片，將至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互聯(lián)線路集成在基片之上，以執(zhí)行某種電子功能的中間產品或者最終產品?！?br />
(二)集成電路布圖設計

美國稱之為“掩模作品”(mask work)，歐盟國家成為“半導體產品拓撲圖”(topographies of semiconductor products)、Et本稱為“布圖設計”。考慮到上述不同的稱謂，《華盛頓公約》和TRIPS協(xié)議采用了“集成電路布圖設計(拓撲圖)”的表達方式。

在華盛頓公約中，布圖設計是指： “不論如何表示，是所有組成元件(至少有一種是有源元件)和某一集成電路的部分或者全部連線的三位配置，或者為制造某一集成電路而準備的這種三位配置。”

而根據(jù)我國《集成電路布圖設計保護條例》笫2條，布圖設計是指“集成電路中至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互聯(lián)線路的三位配置，或者為制造集成電路而準備的上述三位配置?！?br />
從上可以看出，除了語言表述的細微差異以外，我國關于集成電路的定義與華盛頓公約幾乎完全一致，唯一不同之處在于我國將集成電路的基片材料限定為半導體，而華盛頓公約未作限定。

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